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TBI滚珠丝杆

【48812】BeSTMOS 600V 650V 70TO-220F TO-24752 选型阐明

来源:安博体育电竞官网登录    发布时间:2024-08-29 22:01:26

产品介绍/参数

  高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,选用DSO-8封装,用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号

  氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式对外发布第三代快速(G3

  碳化硅MOSFETs产品系列,为完成最快的开关速度、最高的功率和功率密度的增进进行优化,

  N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》材料免费下载

  75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》材料免费下载

  60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》材料免费下载

  60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》材料免费下载

  40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》材料免费下载

  40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65HE数据手册.pdf》材料免费下载

  10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC材料文档.pdf》材料免费下载

  近来,国内半导体功率器材领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度改写业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频使用而规划的50A

  封装IGBT单管 /

  -2封装,具有2个引脚,不只增加了安规间隔,提高了可靠性,并且适用于多种使用场景。

  三相MOSFET/IGBT驱动器 /

  YXC石英差分晶振,频点156.25mhz,LVPECL输出,使用于光模块

  SmartBond™ DA14695 低功耗®蓝牙 5.2 开发套件Pro数据手册

  对PCB板进行通电,发现DC直流电源输出到PCB板上的电压一直是在6V左右,电压上不去,有大佬知道是什么原因吗

  【xG24 Matter开发套件试用体会】进一步探究Silicon Labs xG24 Matter开发套件


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